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    FUJITSU代理FRAM 2MBit SPI MB85RS2MTA

    2021-04-21 09:18:21

    富士通型号MB85RS2MTA是采用262144字x8位的铁电随机存取存储器芯片,使用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。能够保持数据,而无需使用SRAM所需的备用电池。MB85RS2MTA采用串行外围设备接口SPI。
     
    MB85RS2MTA中使用的存储单元可用于1013个读/写操作,与Flash存储器和E2PROM支持的读和写操作数量相比,有了显着改进。MB85RS2MTA不需要花费很长时间就可以写入闪存或E2PROM之类的数据,MB85RS2MTA不需要等待时间。FUJITSU代理可提供产品相关技术支持。
     
    MB85RS2MTA特征
    •位配置:262,144字x8位
    •串行外围设备接口:SPI(串行外围设备接口)
    对应于SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)
    •工作频率:40MHz(最大)
    •高耐久性:1013次/字节
    •数据保留:10年(+ 85°C),95年(+ 55°C),200年以上(+ 35°C)
    •工作电源电压:1.8 V至3.6 V
    •低功耗:工作电源电流2.3mA(最大@40 MHz)
    待机电流50μA(最大值)
    休眠电流10μA(最大值)
    •工作环境温度(温度范围:-40°C至+ 85°C
    •封装:8针塑料SOP(FPT-8P-M09)
     8针塑料DIP(DIP-8P-M03)
     符合RoHS
     
    引脚
     
     
     
     
    FRAM具有特性能成就技术“硬核”,FRAM是存储界的实力派。除非易失性以外,FRAM还具备三大主要优势:高读写入耐久性、高速写入以及低功耗,这是绝大多数同类型存储器无法比拟的。其中FRAM写入次数寿命高达10万亿次、而EEPROM仅有百万次(10^6)。同时FRAM写入数据可在150ns内完成、速度约为EEPROM的1/30,000,写入一个字节数据的功耗仅为150nJ、约为EEPROM的1/400,在电池供电应用中具有优势。与传统的存储技术相比,FRAM在需要非易失性、高速读写、低功耗、高读写耐久等综合性能的应用领域表现出众、口碑良好。


    本文关键词: FRAM  

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