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    国产SRAM芯片EMI502NL16VM可替换IS61WV12816EDBLL

    2021-04-22 09:44:12

    EMI502NL16VM系列由EMI先进的全CMOS工艺技术制造。这些系列支持工业温度范围和芯片级封装,以使用户灵活地进行系统设计。该系列还支持低数据保持电压,以低数据保持电流实现电池备份操作。此款国产SRAM芯片可替换ISSI IS61WV12816EDBLL。EMI代理支持提供技术支持及样品测试。
     
    特征
    ●工艺技术:全CMOS
    ●位宽:128Kx16位
    ●电源电压:2.3V?3.6V
    ●低数据保持电压:1.5V(最小值)
    ●三态输出和TTL兼容
    ●标准44TSOP2,48BGA
    ●工业操作温度
     
    引脚封装
     
     
    ISSI IS6164WV12816EDBLL是一种高速的2,097,152位静态RAM,以131,072个字乘16位组织。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的过程与创新的电路设计技术相结合,可生产出高性能和低功耗的设备。IS61WV12816EDBLL封装在JEDEC标准的44引脚TSOP-II和48引脚BGA中。
     
    特征
    CMOS待机
    •单电源
    -Vdd2.4V至3.6V(10ns)
    -Vdd3.3V±10%(8ns)
    •完全静态操作:无需时钟或刷新
    •三态输出
    •高低字节数据控制
    •工业和汽车温度支持
    •无铅可用
    •错误检测和错误纠正
     
    引脚封装
     
     

    本文关键词:EMI502NL16VM   国产芯片  


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